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　　碳化硅微粉的化學除碳工藝有兩種方法：加熱氧化法、化學氧化法，具體內容如下。
　　1.1加熱氧化法
　　通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實現(xiàn)了除碳的目的。
　　利用高溫煅燒除去碳化硅微粉中的碳雜質。該方法的較佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時間為3h，碳化硅內部的碳雜質得到了完全去除。
　　以空氣為氧化介質進行碳化硅微粉與碳雜質的分離。實驗結果表明:當氧化溫度在450～560℃之間，氧化時間在4h，雜質碳的去除率可以達到98.6%～99.2%。
　　通過實驗分析可知，在一定的溫度及時間范圍內，加熱氧化法對碳化硅微粉中的碳雜質去除率可達98%，但由于粒徑為微粉級的碳化硅表面積過大，如果加熱溫度過高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能將碳微粉包裹，從而不利于碳雜質的去除。
　　1.2化學氧化法
　　利用用硝酸、硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用，或者在酸中添加作無機氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀，使碳化硅微粉中的碳雜質以氣體的形式揮發(fā)出去，從而實現(xiàn)了對石墨和游離碳的去除。
　　利用化學氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發(fā)掉，但氧化工藝所添加的強氧化性酸對人體及機器都會有強烈的腐蝕性，所以不利于大規(guī)模的工業(yè)化生產。